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International Rectifier – Strahlungsfeste Power MOSFET Thru-Hole  (Niedrig-Ohm Variante im TO-257AA Gehäuse), 60V, 30A, P-Channel, R 9  Superjunction Technologie (04/2022)
International Rectifier – Strahlungsfeste Power MOSFET Thru-Hole (Niedrig-Ohm Variante im TO-257AA Gehäuse), 60V, 30A, P-Channel, R 9 Superjunction Technologie (04/2022)

Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
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Generischer N MOSFET TO-220
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Automotive-MOSFETs - Infineon Technologies | Mouser
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Infineon stellt 650-V-SiC-MOSFETs im D²PAK-Gehäuse vor
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BUZ45 Siemens N-Channel MOSFET TO-3 Gehäuse Leistungs Transistor 2 Stück  pcs. | Angebote | Balzer CFS electronic
BUZ45 Siemens N-Channel MOSFET TO-3 Gehäuse Leistungs Transistor 2 Stück pcs. | Angebote | Balzer CFS electronic

5 Stück STP36NE06 | STripFET POWER MOSFET N-CHANNEL | 60V | 0.032 Ohm | 36A  | 100W | STMicroelectronics | TO-220 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe,  Industrie & Wissenschaft
5 Stück STP36NE06 | STripFET POWER MOSFET N-CHANNEL | 60V | 0.032 Ohm | 36A | 100W | STMicroelectronics | TO-220 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft

BUZ21 | International Power Semiconductor | MOSFETs | Bürklin Elektronik
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STP6NK90ZFP STMicroelectronics Leistungs-MOSFETs, TO220-Gehäuse - elpro  Elektronik
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SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse - Wolfspeed | Mouser
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Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220
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IRF422 RCA N-Channel 500V 2A 40W Power MOSFET im TO3 Gehäuse (A13/3824) |  eBay
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ROHM präsentiert neue SiC-MOSFETs im 4-Pin TO-247-4L-Gehäuse | ROHM  Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
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Transistor N-MOSFET BS170 - THT - 4 Stk.
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Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
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OptiMOS™-Leistungs-MOSFET-Gehäuse TOLT - Infineon | DigiKey
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Infineon CoolSiC IMZA65R057M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A, 4-Pin  TO-247-4 | RS
Infineon CoolSiC IMZA65R057M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A, 4-Pin TO-247-4 | RS

ROHM bietet erste AC/DC-Wandler-ICs im Surface-Mount-Gehäuse mit  integriertem 1700-V-SiC-MOSFET | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
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P-Kanal-MOSFET im LFPAK-Gehäuse - Nexperia | DigiKey
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Transistor N-Mosfet 2N7000 Gehäuse TO92, einpolig, 20 Stück : Amazon.de:  Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
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News | channel-e
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IXFH50N30Q3 IXYS - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 300V; 50A; 690W;  TO247-3; 250ns | TME - Elektronik Bauteile
IXFH50N30Q3 IXYS - Transistor: N-MOSFET | unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns | TME - Elektronik Bauteile

Thermisch verbesserte n- und p-Kanal-MOSFET-Paare - Vishay | Mouser
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10 Stück STB200NF04-1 | POWER MOSFET N-CHANNEL STripFETTMII | 40V | 0.0033  Ohm | 120A | 310W | STMicroelectronics | I2PAK / TO-262 Gehäuse :  Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
10 Stück STB200NF04-1 | POWER MOSFET N-CHANNEL STripFETTMII | 40V | 0.0033 Ohm | 120A | 310W | STMicroelectronics | I2PAK / TO-262 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft

5 Stück SGSP222 | POWER MOSFET N-CHANNEL | 50V | 0.13 Ohm | 10A | 50W |  STMicroelectronics | SOT-82 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie &  Wissenschaft
5 Stück SGSP222 | POWER MOSFET N-CHANNEL | 50V | 0.13 Ohm | 10A | 50W | STMicroelectronics | SOT-82 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft

Leistungs-MOSFET – Wikipedia
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